光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。那么光刻胶存储是怎么样的呢？
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。
光刻胶对光敏感，在光照或高温条件下其性能会发生变化。光刻胶在储存过程中会老化，因此通常保存在防光的棕色玻璃试剂瓶中（部分电子束胶由于对紫外波段不感光，有可能直接使用白色塑料瓶包装），冷藏保存，并且紫外光刻胶只能在黄光（λ>500 nm）下进行处理。通常一款光刻胶的失效日期和建议的存储温度会标注产品标签上。如果保持在这些温度下，未开封的光刻胶将稳定到有效期（通常是生产后的2年，视产品不同略有不同）。通常光刻胶销售时会有一个承诺有效日期，这个日期往往会小于瓶示质保期。需要区分。
温度：对于绝大多数紫外光刻胶而言，通常建议的保存条件是5-10℃下保存（除制造商要求的特殊保存温度外）。如果未打开的瓶子在低于佳温度的条件下（例如，在5–8°C的温度下与建议的10–18°C的温度相比）存储，则可以使一些光刻胶，在超过其有效期限外还可以保持光刻胶的特性并使用。
如果频繁打开光刻胶试剂瓶会导致溶剂蒸发，光刻胶会增稠并因此产生较厚的膜。对于膜厚为1.4µm的光刻胶，仅损失1％的溶剂就已经导致4％的膜厚，因此带来的影响是需要更高的曝光剂量。所以建议按照实际使用的量进行购买相应包装规格的光刻胶。
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